FDMS8460
MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2282414-FDMS8460
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS8460
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 25A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS84 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 25A (Ta), 49A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7205 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS8460DKR FDMS8460CT FDMS8460TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDPF55N06onsemi
BSS84MDD
MAX3232IPWRTexas Instruments
UCC27201DDATexas Instruments
BSC054N04NSGATMA1Infineon Technologies
CSD18531Q5ATTexas Instruments
IRLH5034TRPBFInfineon Technologies- BSC026N04LSATMA1Infineon Technologies
BSC022N04LS6ATMA1Infineon Technologies
