BSC026N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
НОВА часть #:
312-2282413-BSC026N04LSATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC026N04LSATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-6 | |
| Базовый номер продукта | BSC026 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 23A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2300 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 63W (Tc) | |
| Другие имена | BSC026N04LSATMA1-ND SP001067014 BSC026N04LSATMA1DKR BSC026N04LSATMA1TR BSC026N04LSATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BAT54C-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V2P22L-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes Division
BSC010N04LSATMA1Infineon Technologies
150060RS75000Würth Elektronik
SI7234DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC032N04LSATMA1Infineon Technologies
BSC027N04LSGATMA1Infineon Technologies
LT3763EFE#PBFAnalog Devices Inc.
ABM3-12.000MHZ-D2Y-TAbracon LLC- BSC035N04LSGATMA1Infineon Technologies
IPB80P04P4L06ATMA2Infineon Technologies- BSC022N04LS6ATMA1Infineon Technologies
