SIRA52DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2272471-SIRA52DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIRA52DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SIRA52 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | +20V, -16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7150 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 48W (Tc) | |
| Другие имена | SIRA52DP-T1-GE3CT SIRA52DP-T1-GE3TR SIRA52DP-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIRA52ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
NVMFD5C650NLWFT1Gonsemi
LT6108IMS8-2#TRPBFAnalog Devices Inc.
SIJ438DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SI4925DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
HV7802MG-GMicrochip Technology
DMN3067LW-7Diodes Incorporated
SIS476DN-T1-GE3Vishay Siliconix
