TK1R5R04PB,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
НОВА часть #:
312-2297417-TK1R5R04PB,LXGQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TK1R5R04PB,LXGQ
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 160A (Ta) 205W (Tc) Surface Mount D2PAK+
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK+ | |
| Базовый номер продукта | TK1R5R04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSIX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 160A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 103 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5500 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 205W (Tc) | |
| Другие имена | 264-TK1R5R04PBLXGQDKR TK1R5R04PB,LXGQ(O 264-TK1R5R04PBLXGQCT 264-TK1R5R04PBLXGQTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVMFS5C426NAFT1Gonsemi
IPD30N03S2L20ATMA1Infineon Technologies
IPC100N04S51R9ATMA1Infineon Technologies
BZT52C15TQ-7-FDiodes Incorporated
TLE9183QKXUMA1Infineon Technologies
IPD90N04S405ATMA1Infineon Technologies
LP8867QPWPRQ1Texas Instruments
VN9D5D20FNTRSTMicroelectronics
BTS710404ESAXUMA1Infineon Technologies
