IPD30N03S2L20ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
НОВА часть #:
312-2294437-IPD30N03S2L20ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD30N03S2L20ATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 | |
| Базовый номер продукта | IPD30N03 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 30A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 23µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 530 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 60W (Tc) | |
| Другие имена | SP000254466 2156-IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L-20-ND IPD30N03S2L20ATMA1CT IPD30N03S2L20ATMA1TR INFINFIPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1DKR IPD30N03S2L-20 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon Technologies
TLE94106ESXUMA1Infineon Technologies- IPD90N04S404ATMA1Infineon Technologies
SI53340-B-GMRSkyworks Solutions Inc.
SI8244BB-D-IS1RSkyworks Solutions Inc.
SI3019-F-FTRSkyworks Solutions Inc.- IPD90N04S405ATMA1Infineon Technologies
TLE82422LXUMA2Infineon Technologies
TLE6240GPAUMA1Infineon Technologies
TLE75008ESDXUMA1Infineon Technologies
