NTBGS4D1N15MC
MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
НОВА часть #:
312-2283543-NTBGS4D1N15MC
Производитель:
Номер детали производителя:
NTBGS4D1N15MC
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 20A (Ta), 185A (Tc) 3.7W (Ta), 316W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | NTBGS4 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Ta), 185A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 104A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 574µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 88.9 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7285 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.7W (Ta), 316W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NTBGS4D1N15MCDKR 488-NTBGS4D1N15MCTR 488-NTBGS4D1N15MCCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPB044N15N5ATMA1Infineon Technologies
IPB048N15N5LFATMA1Infineon Technologies
IPT059N15N3ATMA1Infineon Technologies
NTBLS4D0N15MConsemi
NTMTS4D3N15MConsemi
AOTL66518Alpha & Omega Semiconductor Inc.- IPB048N15N5ATMA1Infineon Technologies
- NVBLS4D0N15MConsemi
NVBGS4D1N15MConsemi
