IPB017N10N5LFATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

НОВА часть #:

312-2283617-IPB017N10N5LFATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB017N10N5LFATMA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

N-Channel 100 V 180A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7
Базовый номер продукта	IPB017
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™-5
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	180A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.1V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	195 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	840 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	313W (Tc)
Другие имена	IPB017N10N5LFATMA1DKR IPB017N10N5LFATMA1CT SP001503850 IPB017N10N5LFATMA1-ND IPB017N10N5LFATMA1TR