FDB86360-F085

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK

НОВА часть #:

312-2283363-FDB86360-F085

Производитель:

Номер детали производителя:

FDB86360-F085

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

N-Channel 80 V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Базовый номер продукта	FDB86360
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	110A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	253 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	14600 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	333W (Tc)
Другие имена	ONSONSFDB86360-F085 FDB86360_F085 FDB86360_F085TR-ND FDB86360-F085CT FDB86360_F085CT-ND FDB86360_F085DKR FDB86360_F085CT FDB86360-F085TR FDB86360_F085DKR-ND 2156-FDB86360-F085-OS FDB86360_F085TR FDB86360-F085DKR