TK3R1P04PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
НОВА часть #:
312-2285619-TK3R1P04PL,RQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TK3R1P04PL,RQ
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | TK3R1P04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSIX-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 58A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 29A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4670 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 87W (Tc) | |
| Другие имена | TK3R1P04PLRQCT TK3R1P04PLRQ(S2 TK3R1P04PLRQDKR TK3R1P04PL,RQ(S2 TK3R1P04PLRQTR TK3R1P04PLRQ TK3R1P04PL,RQTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and Storage
STD95N4LF3STMicroelectronics
MCP1799T-3302H/TTMicrochip Technology
NP83P04PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
IAUC80N04S6L032ATMA1Infineon Technologies
