BSS123IXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
НОВА часть #:
312-2284302-BSS123IXTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS123IXTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT-23-3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 190mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 190mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.8V @ 13µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.63 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 15 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | 448-BSS123IXTSA1TR 448-BSS123IXTSA1CT 448-BSS123IXTSA1DKR SP005558639 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BSS123_R1_00001Panjit International Inc.
- SUD50P06-15-BE3Vishay Siliconix
- BVSS123LT1Gonsemi
- BSS123Lonsemi
- BSS169H6327XTSA1Infineon Technologies
- BSS123,215Nexperia USA Inc.
- BSS123TADiodes Incorporated
- BSS123-7-FDiodes Incorporated
- APT1608SGCKingbright
- BSS123NH6327XTSA1Infineon Technologies
- BSS123NH6433XTMA1Infineon Technologies
- BSS123onsemi
- 2N6491Gonsemi
- BSS123LT1Gonsemi
- BSS123W-7-FDiodes Incorporated










