BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
НОВА часть #:
312-2284349-BVSS123LT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
BVSS123LT1G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | BVSS123 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 170mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 20 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 225mW (Ta) | |
| Другие имена | 2156-BVSS123LT1G-OS BVSS123LT1GOSDKR BVSS123LT1GOSCT BVSS123LT1GOSTR BVSS123LT1G-ND ONSONSBVSS123LT1G |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PMEG10010ELRXNexperia USA Inc.
BVSS84LT1Gonsemi
MMFTN123Diotec Semiconductor
BSS123TADiodes Incorporated- BSS123-7-FDiodes Incorporated
- ZXMP10A13FQTADiodes Incorporated
- SQ2325ES-T1_GE3Vishay Siliconix
- BSS123Lonsemi
BSS123LT1Gonsemi- MMBT7002KDiotec Semiconductor
INA240A2QPWRQ1Texas Instruments- DMN10H220L-7Diodes Incorporated
