SI1926DL-T1-BE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
НОВА часть #:
303-2246826-SI1926DL-T1-BE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI1926DL-T1-BE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 340mA (Ta), 370mA (Tc) 300mW (Ta), 510mW (Tc) Surface Mount SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SI1926 | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 340mA (Ta), 370mA (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 340mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.4nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 18.5pF @ 30V | |
| Мощность - Макс. | 300mW (Ta), 510mW (Tc) | |
| Другие имена | 742-SI1926DL-T1-BE3TR 742-SI1926DL-T1-BE3CT 742-SI1926DL-T1-BE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- 2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.
- DMN601DWKQ-7Diodes Incorporated
- SI1900DL-T1-E3Vishay Siliconix
- DMN65D8LDW-7Diodes Incorporated
- SI1926DL-T1-E3Vishay Siliconix
- BSS138BKS,115Nexperia USA Inc.
- SI1926DL-T1-GE3Vishay Siliconix
- SSM6N16FUTE85LFToshiba Semiconductor and Storage




