SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
НОВА часть #:
303-2247446-SI1900DL-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI1900DL-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 590mA 270mW Surface Mount SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SI1900 | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 590mA | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 590mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.4nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Logic Level Gate | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | - | |
| Мощность - Макс. | 270mW | |
| Другие имена | SI1900DL-T1-E3TR SI1900DL-T1-E3DKR SI1900DLT1E3 SI1900DL-T1-E3-ND SI1900DL-T1-E3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- FDG8850NZonsemi
- PMGD780SN,115Nexperia USA Inc.
- DMN3018SSD-13Diodes Incorporated
- ADP121-AUJZ33R7Analog Devices Inc.
- SI7421DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- V20DL45HM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division
- TPS74301RGWRTexas Instruments
- SI7212DN-T1-E3Vishay Siliconix
- DMN601DWKQ-7Diodes Incorporated
- SI3932DV-T1-GE3Vishay Siliconix
- FDG6303Nonsemi
- NTJD4001NT1Gonsemi
- DMN65D8LDW-7Diodes Incorporated
- DMN63D8LDW-7Diodes Incorporated








