SI1926DL-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

НОВА часть #:

303-2249279-SI1926DL-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI1926DL-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 370mA 510mW Surface Mount SC-70-6

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SC-70-6
Базовый номер продукта	SI1926
Пакет/кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	1.4nC @ 10V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	60V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	18.5pF @ 30V
Мощность - Макс.	510mW
Другие имена	SI1926DL-T1-GE3CT SI1926DL-T1-GE3-ND SI1926DL-T1-GE3DKR SI1926DL-T1-GE3TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!