EPC2110

GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE

НОВА часть #:

303-2247424-EPC2110

Производитель:

Номер детали производителя:

EPC2110

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A - Die

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	EPC
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика	Die
Пакет/кейс	Die
Ряд	eGaN®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	0.8nC @ 5V
Полевой транзистор	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Source
Напряжение сток-исток (Vdss)	120V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	80pF @ 60V
Мощность - Макс.	-
Другие имена	917-1152-6 917-1152-2 917-1152-1

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!