EPC2107

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

НОВА часть #:

303-2247466-EPC2107

Производитель:

Номер детали производителя:

EPC2107

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	EPC
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	9-BGA (1.35x1.35)
Пакет/кейс	9-VFBGA
Ряд	eGaN®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Полевой транзистор	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Напряжение сток-исток (Vdss)	100V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Мощность - Макс.	-
Другие имена	917-1168-2 917-1168-1 917-1168-6

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!