EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
НОВА часть #:
303-2247419-EPC2106
Производитель:
Номер детали производителя:
EPC2106
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A - Surface Mount Die
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Die | |
| Пакет/кейс | Die | |
| Ряд | eGaN® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.7A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 600µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.73nC @ 5V | |
| Полевой транзистор | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 75pF @ 50V | |
| Мощность - Макс. | - | |
| Другие имена | 917-1110-2 917-1110-1 917-1110-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
EPC2036EPC
LMG1020YFFRTexas Instruments
EPC2052EPC
EPC2110EPC
EPC2014CEPC
EPC2111EPC
DMN65D8LDW-7Diodes Incorporated
EPC2152ENGRTEPC
ZXMHC3A01T8TADiodes Incorporated
EPC2103EPC
