SQUN702E-T1

SQUN702E-T1_GE3

MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN

НОВА часть #:

303-2250284-SQUN702E-T1_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQUN702E-T1_GE3

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 40V, 200V 30A (Tc), 20A (Tc) 48W (Tc), 60W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank Die

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount, Wettable Flank
Пакет устройств поставщика	Die
Базовый номер продукта	SQUN702
Пакет/кейс	Die
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	30A (Tc), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V
Полевой транзистор	Стандартный
Тип полевого транзистора	N and P-Channel, Common Drain
Напряжение сток-исток (Vdss)	40V, 200V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V
Мощность - Макс.	48W (Tc), 60W (Tc)
Другие имена	SQUN702E-T1_GE3DKR SQUN702E-T1_GE3CT SQUN702E-T1_GE3TR

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!