SI4501BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

НОВА часть #:

303-2251411-SI4501BDY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4501BDY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4501
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	12A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	25nC @ 10V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	N and P-Channel, Common Drain
Напряжение сток-исток (Vdss)	30V, 8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	805pF @ 15V
Мощность - Макс.	4.5W, 3.1W
Другие имена	SI4501BDY-T1-GE3DKR SI4501BDY-T1-GE3CT SI4501BDY-T1-GE3TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!