TSM6502CR RLG
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
НОВА часть #:
303-2248183-TSM6502CR RLG
Производитель:
Номер детали производителя:
TSM6502CR RLG
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Mosfet Array N and P-Channel 60V 24A (Tc), 18A (Tc) 40W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PDFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | TSM6502 | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 24A (Tc), 18A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | N and P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V | |
| Мощность - Макс. | 40W | |
| Другие имена | TSM6502CR RLGTR-ND TSM6502CRRLGCT TSM6502CR RLGCT TSM6502CR RLGCT-ND TSM6502CR RLGDKR TSM6502CRRLGTR TSM6502CR RLGDKR-ND TSM6502CRRLGDKR TSM6502CR RLGTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SQJ560EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- DMC3016LDV-13Diodes Incorporated
- ECH8690-TL-Honsemi
- SH8MB5TB1Rohm Semiconductor
- HP8MA2TB1Rohm Semiconductor
- SQJ500AEP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SI7540ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
- HP8M31TB1Rohm Semiconductor
- FDD8424Honsemi
- SQUN702E-T1_GE3Vishay Siliconix
- QH8M22TCRRohm Semiconductor
- AOD609GAlpha & Omega Semiconductor Inc.







