EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
НОВА часть #:
303-2247908-EPC2108
Производитель:
Номер детали производителя:
EPC2108
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA - Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 9-BGA (1.35x1.35) | |
| Пакет/кейс | 9-VFBGA | |
| Ряд | eGaN® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.7A, 500mA | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | |
| Полевой транзистор | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Тип полевого транзистора | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V, 100V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V | |
| Мощность - Макс. | - | |
| Другие имена | 917-1169-1 917-1169-2 917-1169-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
