SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
НОВА часть #:
303-2251460-SI4946CDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4946CDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO | |
| Базовый номер продукта | SI4946 | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.9mOhm @ 5.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 350pF @ 30V | |
| Мощность - Макс. | 2W (Ta), 2.8W (Tc) | |
| Другие имена | SI4946CDY-T1-GE3DKR SI4946CDY-T1-GE3CT SI4946CDY-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- TSM4946DCS RLGTaiwan Semiconductor Corporation
- DMTH6016LSD-13Diodes Incorporated
- SQ4946CEY-T1_GE3Vishay Siliconix
- LTC4365CTS8#TRMPBFAnalog Devices Inc.
- SH8K39GZETBRohm Semiconductor
- SI4590DY-T1-GE3Vishay Siliconix
- DMNH6022SSDQ-13Diodes Incorporated
- SI4946BEY-T1-E3Vishay Siliconix
- AD8130ARZAnalog Devices Inc.
- LP2951-33DRGRTexas Instruments
- SI4946BEY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI4948BEY-T1-E3Vishay Siliconix
- DMN6040SSD-13Diodes Incorporated










