STH150N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Número da pe?a NOVA:
312-2306100-STH150N10F7-2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STH150N10F7-2
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | H2Pak-2 | |
| Número do produto base | STH150 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 55A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8115 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-14979-1 -497-14979-6 497-14979-2 497-14979-6 -497-14979-2 -497-14979-1 |
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