RJ1P12BBDTLL
MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
Número da pe?a NOVA:
312-2279786-RJ1P12BBDTLL
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RJ1P12BBDTLL
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount LPTL
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | LPTL | |
| Número do produto base | RJ1P12 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4170 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 178W (Tc) | |
| Outros nomes | RJ1P12BBDTLLTR RJ1P12BBDTLLCT RJ1P12BBDTLLDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
ATP304-TL-Honsemi
STH150N10F7-2STMicroelectronics
IPB020N10N5LFATMA1Infineon Technologies
MCB130N10Y-TPMicro Commercial Co
CSD19532KTTTTexas Instruments