TK65G10N1,RQ

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D2PAK
Número do produto base	TK65G10
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	U-MOSVIII-H
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	65A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5400 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	156W (Tc)
Outros nomes	TK65G10N1,RQ(S TK65G10N1RQCT TK65G10N1RQTR TK65G10N1RQDKR

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