IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2263295-IXTY02N120P
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTY02N120P
Embalagem padr?o:
70
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | IXTY02 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Polar | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 104 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 33W (Tc) | |
| Outros nomes | IXTY02N120P-CRL Q14232739 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IXTY1R4N120PIXYS
IXTA06N120PIXYS- IXTY01N100IXYS
IXTY02N120P-TRLIXYS- FQD2N100TMonsemi
- HGTD1N120BNS9Aonsemi
3312J-1-104EBourns Inc.- IXTA06N120P-TRLIXYS
- 3312J-1-103EBourns Inc.
SCT2750NYTBRohm Semiconductor
750315371Würth Elektronik- SCT2H12NYTBRohm Semiconductor
STN0214STMicroelectronics
BSH105,215Nexperia USA Inc.
