SCT2750NYTB
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Número da pe?a NOVA:
312-2263409-SCT2750NYTB
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCT2750NYTB
Embalagem padr?o:
400
Ficha técnica:
N-Channel 1700 V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-268 | |
| Número do produto base | SCT2750 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 5.9A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 975mOhm @ 1.7A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 630µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 18 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -6V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1700 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 275 pF @ 800 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 57W (Tc) | |
| Outros nomes | SCT2750NYTBDKR SCT2750NYTBTR SCT2750NYTBCT |
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