IXTY01N100
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Número da pe?a NOVA:
312-2264447-IXTY01N100
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTY01N100
Embalagem padr?o:
70
Ficha técnica:
N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | IXTY01 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100mA (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 25µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 54 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 25W (Tc) | |
| Outros nomes | IXTY01N100TR IXTY01N100TR-ND IXTY01N100CT-ND 490458 IXTY01N100TRINACTIVE IXTY01N100DKR-ND Q3218405 IXTY01N100DKR IXTY01N100DKRINACTIVE IXTY01N100CT |
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