SQP50P03-07_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
Número da pe?a NOVA:
312-2311579-SQP50P03-07_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQP50P03-07_GE3
Embalagem padr?o:
500
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB | |
| Número do produto base | SQP50 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5380 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) | |
| Outros nomes | SQP50P03-07_GE3TRINACTIVE SQP50P03-07_GE3TR-ND SQP50P03-07_GE3DKR SQP50P03-07_GE3DKR-ND SQP50P03-07_GE3CT-ND SQP50P03-07_GE3TR SQP50P03-07_GE3CT SQP50P03-07_GE3DKRINACTIVE |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
AOI21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IRLB8721PBFInfineon Technologies- IRLZ44NPBFInfineon Technologies
IPP80P03P4L04AKSA2Infineon Technologies
BDV65BGonsemi
SQP100P06-9M3L_GE3Vishay Siliconix
FQP47P06onsemi- SQP90P06-07L_GE3Vishay Siliconix
SUP60061EL-GE3Vishay Siliconix
NDP6020PFairchild Semiconductor- IRF4905PBFInfineon Technologies
TN0702N3-GMicrochip Technology
IPP120P04P4L03AKSA1Infineon Technologies- AUIRF4905Infineon Technologies
