NDP6020P

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Número da pe?a NOVA:

312-2312594-NDP6020P

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

NDP6020P

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

P-Channel 20 V 24A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Fairchild Semiconductor
RoHS	1
Temperatura de operação	-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220-3
Número do produto base	NDP602
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1590 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	60W (Tc)
Outros nomes	2156-NDP6020P FAIFSCNDP6020P

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