SQP100P06-9M3L_GE3
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Número da pe?a NOVA:
312-2306111-SQP100P06-9M3L_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQP100P06-9M3L_GE3
Embalagem padr?o:
500
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB | |
| Número do produto base | SQP100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12010 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 187W (Tc) | |
| Outros nomes | SQP100P06-9M3L_GE3CT-ND SQP100P06-9M3L_GE3CT SQP100P06-9M3L_GE3DKR-ND SQP100P06-9M3L_GE3TR SQP100P06-9M3L_GE3DKR SQP100P06-9M3L_GE3TR-ND SQP100P06-9M3L_GE3TRINACTIVE SQP100P06-9M3L_GE3DKRINACTIVE |
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