NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Número da pe?a NOVA:
312-2290452-NTMS10P02R2G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTMS10P02R2G
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | NTMS10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3640 pF @ 16 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.6W (Ta) | |
| Outros nomes | NTMS10P02R2GOSCT 2156-NTMS10P02R2G-OS NTMS10P02R2GOS NTMS10P02R2GOSDKR NTMS10P02R2GOSTR =NTMS10P02R2GOSCT-ND NTMS10P02R2GOS-ND ONSONSNTMS10P02R2G |
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