NTMS5P02R2G
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Número da pe?a NOVA:
312-2292363-NTMS5P02R2G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTMS5P02R2G
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | NTMS5 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.95A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 16 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 790mW (Ta) | |
| Outros nomes | 2156-NTMS5P02R2G-OS ONSONSNTMS5P02R2G =NTMS5P02R2GOSCT-ND NTMS5P02R2GOS NTMS5P02R2GOS-ND NTMS5P02R2GOSDKR NTMS5P02R2GOSTR NTMS5P02R2GOSCT |
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