SI4463DY

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P-CHANNEL MOSFET

Número da pe?a NOVA:

312-2267445-SI4463DY

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI4463DY

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

P-Channel 20 V 11.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Fairchild Semiconductor
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOIC
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	PowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	11.5A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 11.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4481 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta)
Outros nomes	2156-SI4463DY FAIFSCSI4463DY