NTD360N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Número da pe?a NOVA:
312-2295457-NTD360N65S3H
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTD360N65S3H
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D-PAK (TO-252) | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | SuperFET® III | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 916 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 83W (Tc) | |
| Outros nomes | 488-NTD360N65S3HDKR 488-NTD360N65S3HCT 488-NTD360N65S3HTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- SIHD12N50E-GE3Vishay Siliconix
- MSJU11N65-TPMicro Commercial Co
- FCD360N65S3R0onsemi
- SIHD1K4N60E-GE3Vishay Siliconix
- STD15N50M2AGSTMicroelectronics
- STD16N65M5STMicroelectronics
- STD10NM60NDSTMicroelectronics
- TSM70N380CP ROGTaiwan Semiconductor Corporation
- TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and Storage







