SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Número da pe?a NOVA:
312-2265247-SIHD1K4N60E-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIHD1K4N60E-GE3
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 4.2A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D-Pak | |
| Número do produto base | SIHD1 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | E | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.2A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 172 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 63W (Tc) | |
| Outros nomes | SIHD1K4N60E-GE3DKR SIHD1K4N60E-GE3DKR-ND SIHD1K4N60E-GE3TR-ND SIHD1K4N60E-GE3DKRINACTIVE SIHD1K4N60E-GE3CT SIHD1K4N60E-GE3CT-ND SIHD1K4N60E-GE3TR SIHD1K4N60E-GE3CTINACTIVE |
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