TK10P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2273655-TK10P60W,RVQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK10P60W,RVQ
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK | |
| Número do produto base | TK10P60 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | DTMOSIV | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | Super Junction | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 300 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 80W (Tc) | |
| Outros nomes | TK10P60WRVQDKR TK10P60WRVQCT TK10P60W,RVQ(S TK10P60WRVQTR TK10P60WRVQ |
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