FCD360N65S3R0

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2288101-FCD360N65S3R0

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FCD360N65S3R0

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D-PAK (TO-252)
Número do produto base	FCD360
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	SuperFET® III
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	730 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	83W (Tc)
Outros nomes	FCD360N65S3R0OSTR FCD360N65S3R0-ND FCD360N65S3R0OSCT 2156-FCD360N65S3R0-OS ONSONSFCD360N65S3R0 FCD360N65S3R0OSDKR