TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Número da pe?a NOVA:
312-2281553-TPH2900ENH,L1Q
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPH2900ENH,L1Q
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Número do produto base | TPH2900 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 33A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 16.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 78W (Tc) | |
| Outros nomes | TPH2900ENHL1QTR TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENHL1QDKR TPH2900ENHL1QCT |
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