IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Número da pe?a NOVA:
312-2283614-IPB110N20N3LFATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPB110N20N3LFATMA1
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO263-3 | |
| Número do produto base | IPB110 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ 3 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 88A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 88A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 260µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) | |
| Outros nomes | SP001503864 IPB110N20N3LFATMA1DKR IPB110N20N3LFATMA1TR IPB110N20N3LFATMA1CT IPB110N20N3LFATMA1-ND |
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