TPH5200FNH,L1Q

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOP Advance (5x5)
Número do produto base	TPH5200
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	U-MOSVIII-H
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	250 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	78W (Tc)
Outros nomes	TPH5200FNHL1QDKR TPH5200FNHL1QCT TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNHL1QTR

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