SIDR610DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2288844-SIDR610DP-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIDR610DP-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SO-8DC | |
| Número do produto base | SIDR610 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31.9mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | |
| Outros nomes | SIDR610DP-T1-GE3TR SIDR610DP-T1-GE3DKR SIDR610DP-T1-GE3CT |
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