SQJQ112E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Número da pe?a NOVA:
312-2288833-SQJQ112E-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQJQ112E-T1_GE3
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 296A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.53mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 272 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15945 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 600W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SQJQ112E-T1_GE3CT 742-SQJQ112E-T1_GE3TR 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR |
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