SQJQ160E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Número da pe?a NOVA:
312-2297745-SQJQ160E-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQJQ160E-T1_GE3
Embalagem padr?o:
2,000
N-Channel 60 V 602A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 602A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.85mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 16070 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 600W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SQJQ160E-T1_GE3TR 742-SQJQ160E-T1_GE3DKR 742-SQJQ160E-T1_GE3CT |
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