NTB004N10G
MOSFET N-CH 100V 201A TO263
Número da pe?a NOVA:
312-2283367-NTB004N10G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTB004N10G
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 201A (Ta) 340W (Tc) Surface Mount D²PAK-3 (TO-263-3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK-3 (TO-263-3) | |
| Número do produto base | NTB004 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 201A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 175 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11900 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 340W (Tc) | |
| Outros nomes | 488-NTB004N10GTR 488-NTB004N10GDKR 488-NTB004N10GCT |
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