C3M0045065D
GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Número da pe?a NOVA:
312-2289923-C3M0045065D
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
C3M0045065D
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 49A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-3 | |
| Número do produto base | C3M0045065 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | C3M™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 49A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 17.6A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 4.84mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +19V, -8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1621 pF @ 600 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 176W (Tc) | |
| Outros nomes | 1697-C3M0045065D -3312-C3M0045065D |
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