SCTW35N65G2V
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Número da pe?a NOVA:
312-2289929-SCTW35N65G2V
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCTW35N65G2V
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) Through Hole HiP247™
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | HiP247™ | |
| Número do produto base | SCTW35 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 45A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 240W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-SCTW35N65G2V |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronics
TN3050H-12WYSTMicroelectronics- SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronics
C3M0045065DWolfspeed, Inc.
SCT3060ALGC11Rohm Semiconductor