C3M0015065K
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Número da pe?a NOVA:
312-2289972-C3M0015065K
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
C3M0015065K
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-247-4L
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-4L | |
| Número do produto base | C3M0015065 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | C3M™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 55.8A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 15.5mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 188 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-4 | |
| Vgs (Máx.) | +15V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5011 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 416W (Tc) | |
| Outros nomes | -3312-C3M0015065K 1697-C3M0015065K |
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