C3M0120065D

650V 120M SIC MOSFET
Número da pe?a NOVA:
312-2293222-C3M0120065D
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
C3M0120065D
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:

N-Channel 650 V 22A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteWolfspeed, Inc.
RoHS 1
Temperatura de operação -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-247-3
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
SeriesC3M™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 157mOhm @ 6.76A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 1.86mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 15 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-247-3
Vgs (Máx.)+19V, -8V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.) 98W (Tc)
Outros nomes1697-C3M0120065D
-3312-C3M0120065D

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