TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Número da pe?a NOVA:
312-2285394-TPN11006PL,LQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPN11006PL,LQ
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 26A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Número do produto base | TPN11006 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSIX-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1625 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 610mW (Ta), 61W (Tc) | |
| Outros nomes | TPN11006PL,LQ(S 264-TPN11006PLLQCT 264-TPN11006PLLQTR 264-TPN11006PLLQDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
150060GS75000Würth Elektronik
IAUZ30N06S5L140ATMA1Infineon Technologies
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
DMN6013LFG-7Diodes Incorporated
BAV21W-7-FDiodes Incorporated
TPN4R806PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage- TPN19008QM,LQToshiba Semiconductor and Storage
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SQ2301ES-T1_GE3Vishay Siliconix- 150060RS75000Würth Elektronik
CSD18543Q3ATexas Instruments- TPN7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
TPN11006NL,LQToshiba Semiconductor and Storage